アルバック理工、SiCなど向け超高温ランプアニール装置を発表

アルバック理工は11月17日、SiCなど高融点材料の小片試料を加熱できるハイパワースポット型⾚外線ゴールドイメージ炉を搭載した超⾼温ランプアニール装置「HT-RTA59HD」を発表した。

SiC(GaN)などのパワーデバイス材料は、高価なため、小片試料でのプロセスデバイスの研究・開発が行われている。SiC(GaN)のプロセスでは、酸化膜形成は1400℃以上、活性化アニールは1600℃以上と超高温領域の温度帯が必要となる。そこで今回、卓上型で手軽に超高温が達成できる同製品を開発したという。最高加熱速度は、ノンコントロールフルパワー加熱で1800℃まで約10秒となっている。試料サイズは15mm×15mm×1mmまで対応する。

なお、価格は650万円から。11月から販売を開始する。同社では、初年度で20台の販売を目指している。