TSMCは9月25日、HiSilicon Technologiesとの協業により、ファウンドリとして初めてFinFETを採用した完全動作のARMベース・ネットワーキングプロセッサを開発したと発表した。

同プロセスは16nmのFinFETプロセスで、TSMCが提供する28HPMプロセスと比べて2倍のゲート密度、同じ消費電力でパフォーマンスの40%向上、または同じパフォーマンスで消費電力の60%削減を実現するという。

なおすでに同プロセスは2013年11月に信頼性試験をすべてクリアしており、高歩留まりなリスク生産を開始しているとのことで、これにより、TSMCとカスタマはより多くのテープアウト、試作、早期サンプル出荷などが可能になるという。

なお、今回製造されたHiSiliconプロセッサは、32コアのARM Cortex-A57を搭載し、最大2.6GHzの処理速度を実現。前世代比で処理性能を3倍向上させたとする。また、生産実証済みの「ヘテロジニアスCoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)3次元パッケージ技術」を用いることにより、16nmロジックチップと28nm I/Oチップを統合し、コスト効率が高いシステムソリューションを実現したという。