KLA-Tencorは8月26日、PWGパターン付きウェハ平坦度測定装置「WaferSight」、レチクルレジストレーション計測装置「LMS IPRO6」、および最先端データ解析装置「K-T Analyzer 9.0」を発表した。

同製品群は、独自の5Dパターン形成制御ソリューションをサポートし、パターン形成プロセス制御の5つの要素であるデバイス構造の3Dパターン寸法、TIME-TO-RESULT、およびOEE(Overall-Equipment-Effeciency)に対応する。また、リソグラフィモジュール内外のプロセスの特性評価、最適化、およびモニタリングを通じて最適なパターン形成を推進するように開発されている。さらに、これらの測定値をインテリジェントなフィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御ループと結合することによって、半導体メーカーが既存のプロセス装置を使用して、多重露光パターニング、スペーサピッチプロセス、その他の高度なパターン形成技術を迅速かつコスト効率よく導入できるように支援する。

「WaferSight PWG」は、さまざまなプロセスのパターン付きウェハの平坦度測定により、パターン形成に影響を与えるプロセス変動の特定、およびモニタリングが行える。また、重力による歪みを最小限に抑える独自の垂直ウェハ保持システムを搭載し、ウェハ1枚あたり350万個の高密度データサンプリングを実現することにより、極めて正確なウェハ形状・平坦度を測定できる。さらに、このデータをリソグラフィモジュールにフィードフォワードし、ウェハ形状に最適化されたスキャナ補正を行うことにより、パターンオーバレイが改善する。この他、ウェハの表面と裏面を同時に測定することにより、ウェハ厚ベースの凹凸を管理し、ウェハ起因のスキャナフォーカス誤差を低減することもできる。

「LMS IPRO6」は、ウェハレベルのパターンオーバレイ誤差の直接原因である、レチクルレジストレーション誤差の包括的な特性評価のために使用されている。独自のモデルベース計測技術により、従来の標準レチクルレジストレーション計測マークに加え、実デバイスパターンのレチクルレジストレーションを正確に測定できる。これにより、サンプリングレートが高くなり、マスク品質の判定を改善できる。また、これまでの製品に比べて高スループットを実現しており、多重露光パターニングに伴い枚数が増加しているレチクルの品質保証において、高い生産性を維持することができる。さらに、パターン種ごとの位置計測データを生成することが可能。このデータにより、電子ビームマスク描画機へのフィードバック改善や、特定のパターン種に最適化されたスキャナ補正パラメータをリソグラフィモジュールにフィードフォワードすることで、ウェハ上のパターンニングを改善することができる。

「K-T Analyzer 9.0」は、オーバレイ、レチクルレジストレーション、ウェハ形状、膜厚、CD、デバイスプロファイルなどのさまざまな計測装置のタイプに合わせた高度なランタイムデータ解析が可能な業界標準プラットフォームである。同装置には、製品ロットごとに適用する露光フィールドごと補正(CPE:Correction Per Exposure)をウェハ全面測定を必要とせずに高精度に計算するインライン手法が組み込まれている。それにより、量産に適した制御手法でパターンオーバレイ誤差を低減することができる。この他にも、新しいスキャナツール群管理、スキャナデータ解析、スキャナアライメント最適化機能を有している。

KLA-Tencorは、PWGパターン付きウェハ平坦度測定装置「WaferSight」、レチクルレジストレーション計測装置「LMS IPRO6」、および最先端データ解析装置「K-T Analyzer 9.0」を発表した