東京エレクトロン(TEL)は7月24日、シンガポールのInstitute of Microelectronics(IME)と共同で、ウェハレベル・パッケージング(WLP)およびアセンブリの分野における共同研究を開始することで合意したと発表した。

両者は、今回の合意に基づき、シンガポールに「Assembly Joint Lab」を設立し、2.5Dや3Dを用いたWLPの活用による半導体デバイスの性能向上や低消費電力化を図っていく計画。具体的には、2.5Dや3Dのデバイスにとって新たに必要となる、仮接着剤を用いた常温ウェハ接合/剥離プロセス、永久ウェハ接合、ファインピッチのチップオンウェハの一括接合および高精度位置合わせ機能付き金属接合技術に関する共同研究開発を行っていくとしており、IMEのTSVデバイス技術を駆使した評価サンプルと高度な分析・リサーチ技術を用いることで、常温仮貼り合わせ・剥離プロセスと、低温Cu-Cuハイブリットプロセスの開発における業界標準技術の確立を目指すとするほか、ファインピッチのチップオンウェハの一括接合と、高精度な位置合わせ機能を有する金属接合技術を実現する装置の共同開発を進めていくとしている。