米Lam Researchは7月7日(米国時間)、原子層堆積(ALD)関連製品ラインに、原子層エッチング(ALE)を追加したと発表した。
機構サイズの縮小や、次世代デバイスアーキテクチャの導入が進む中で、製造におけるプロセス変動の制御はさらに困難になっている。次世代の要件を考慮すると、もうすぐ機構寸法の許容度は原子数個分並みになると見られる。同時に、デバイスのアスペクト比は増大を続け、トポグラフィはさらに複雑になっている。この先進的な構造の要件に、従来のプラズマエッチングおよび蒸着プロセスは対応できないため、新しいアプローチが必要となる。ALEとALDは、一度にいくつかの原子層で蒸着と除去を行うマルチステッププロセスのサイクルを使用して、正確に制御するソリューションを提供する。課題は、コスト要件の厳しくなる製造環境に、これらのプロセスが適合するように、生産性を向上させることである。
コンダクタエッチングシステム「2300 Kiyo F Series」上の新ALE機能は、生産の採算が見込め、次世代ウェハプロセスを可能にする原子スケールの変動制御を行う。具体的には、リアクタ内の高速ガススイッチングと先進プラズマ技法を活用し、スループットを大幅に向上させている。一方で、ダイナミックRFバイアルは、高いアスペクト比(深く狭い)の機構で素材の除去に必要な指向性エッチングを可能にする。さらに、対称的なチャンバ設計、先進静電チャック技術、および独立プロセスチューニング機構などによって実現される優れた均一性と回復可能性を、引き続き提供する。また、ALE機能は、同社の誘電体膜ALD用VECTOR ALD Oxide製品、およびタングステン金属膜ALD用ALTUSシステムとともに活用され、各原子が重要となる原子スケールのチップ製造への、業界シフトをサポートするとしている。
