米Applied Materials(AMAT)は7月7日(米国時間)、3Dチップ構造に対応したCVD(化学気相成長)装置「Applied Producer XP Precision」と、CMP(化学機械研磨)装置「Applied Reflexion LK Prime」を発表した。
2つの装置は、プレシジョンマテリアルズエンジニアリング(精密材料技術)のノウハウを生かし、将来の3Dデバイス製造における課題を解決する。CMP装置の「Applied Reflexion LK Prime」は、ナノメートルレベルの精度が要求されるFinFETおよび3D NANDなどのアプリケーションで優れたウェハ研磨性能を発揮する。これらの新しいデバイス構造においては、最大10工程のCMP工程が追加される可能性があり、同装置はこれらの新工程における要求項目に対応するため、6つの研磨ステーションと、8つの洗浄ステーションを備えている他、先進的なプロセス制御機能を搭載する。また、精度の高いCMP処理により、オンウェハ性能とスループットを改善する。さらに、プロセスモジュールの増加により、多くのアプリケーションでウェハのスループットが倍増し、生産性も最大100%向上するという。
CVD装置の「Applied Producer XP Precision」は、各層においてナノメートルレベルの膜厚制御を可能にし、ウェハ全面にわたって優れたCD均一性を実現している。この性能を支えているのは、独自のチャンバデザインと、温度、プラズマ、ガスフローなどの重要なパラメータを調整するユニークな機能である。こうした柔軟な技術により、高品質で欠陥率の低い異なる膜を交互に形成し、ウェハ内、ウェハ間、層間で抜群のストレス制御と成膜プロセス均一性を発揮してゲート性能を高め、デバイスのバラつきを抑えるとしている。
