東レ・ダウコーニングは5月12日、SiC(炭化ケイ素)ウエハ製品(100-mm(4インチウエハ))の現プライム・グレードを3つのグレードに分けたことを発表した。これは、マイクロパイプ(MPD)や貫通らせん転位(TSD)、基底面転位(BPD)のような、デバイスの致命的なキラー欠陥に対する新たな規格を明確化したものだ。
東レ・ダウコーニングは、このグレード分けにより、次世代パワーエレクトロニクス・デバイスの性能およびコストの最適化を目指していく。「プライム・グレード」の基板は、今後「プライム・スタンダード」、「プライム・セレクト」、「プライム・ウルトラ」の3つのグレードで販売する。
プライム・スタンダードは0.5cm-2もしくはそれ以下のMPDを保証しているため、定格電流が低めのショット キー・ダイオードや接合障壁ショットキー・ダイオードのような、比較的単純なSiCパワーエレクトロニクス・コンポーネントを設計する際に適しており、性能とコストのバランスがとれた製品。プライム・セレクトはMPD(≤0.2 cm-2)、BPD(≤800 cm-2)と規格をより厳密にしているため、ピンダイオードやスイッチのような、要件が厳しいSiCデバイスに適している。プライム・ウルトラはMPD (≤0.1 cm-2)、BPD (≤500 cm-2)、TSD (≤300 cm-2)といずれも極めて低く、ウエハの抵抗分布も密になっているため、最も先進的なSiCパワーエレクトロニクス・デバイスの設計が可能だ。
「プライム・スタンダード」、「プライム・セレクト」、「プライム・ウルトラ」の各グレードの100-mm SiCウエハは、製品開発とサンプリングに利用できる。全世界のダウコーニングで展開しており、日本では東レ・ダウコーニングから購入可能だ。
