富士通セミコンダクター(FSL)は7月11日、150V耐圧を有するシリコン基板を用いたGaNパワーデバイス「MB51T008A」を発表した。

同製品は、オン抵抗が13mΩ、ゲート電荷量が16nCと、同耐圧のシリコン系パワーデバイスに比べ約1/2となる低FOMを実現したほか、寄生インダクタンスを低減し高周波動作が可能であったり、独自のゲート構造によるノーマリオフ動作などといった特徴を持つ。用途としては、データ通信機器、産業用製品や車載の電源装置に使われるDC/DCコンバータのハイサイドスイッチ、ローサイドスイッチなどに最適だとしており、電源回路のスイッチング周波数を高めることで、装置全体の小型化と高い電力変換効率の両立に力を発揮するという。

FSLでは、今回の150V耐圧品のほかに、600V/30V耐圧品の製品化を計画しており、幅広い製品領域での小型化と省エネ化に進めていく方針。

なお、パッケージはWLCSP。2013年7月よりサンプル出荷を開始し、2014年中に量産を開始する予定。

150V耐圧を有するシリコン基板を用いたGaNパワーデバイス「MB51T008A」