STMicroelectronicsは、より環境にやさしい、通信システム、コンピューティング・システム、太陽光発電システム用インバータ、産業オートメーション、車載アプリケーションなどの機器を実現するために、「STripFET VII DeepGATE技術」を採用し、高エネルギー効率を実現した次世代パワーMOSFETを発表した。

同パワーMOSFETは、80V/100V耐圧製品として15品種以上がすでにサンプル出荷および量産を開始しており、同技術を活用することで、最高クラスの導電率の実現と同時に、スイッチング効率の向上を実現している。

また、MOSFETゲート構造が改良されており、オン抵抗値の低下だけでなく、内部静電容量とゲート電荷の低減も実現していることから、高速で効率的なスイッチングが可能になっている。さらに、高いアバランシェ耐性を持ち、損傷の可能性がある厳しい環境にも耐えられるため、車載アプリケーションにも適用可能だという。

なお、同パワーMOSFETは、例えば、80V耐圧品「STP270N8F7」、および100V耐圧品の数品種が、各種パッケージ(TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6、H2PAK(2リードまたは6リード))にて提供されており、100V耐圧製品の1000個購入時の単価は、STD100N10F7およびSTL100N10F7が約1.7ドル、STH310N10F7-2が約3.8ドルとなっているという。

STの「STripFET VII DeepGATE技術」を採用した次世代パワーMOSFET