ON Semiconductorは、次世代GaN-on-Siパワーデバイスの開発で共同研究を行うために、ベルギーIMECでのマルチパートナーによる産業分野の研究開発プログラムに参加すると発表した。
GaNは高い電子移動度、高い破壊電圧、優れた熱伝導特性を備えており、高いスイッチング効率を必要とする電力および高周波(RF)デバイスが実現することが可能な半導体材料。現在、GaNをベースとしたパワー半導体は、非標準製造工程を使用して小口径のウェハ上で製造されているため、量産時には高価なものになっている。
IMECの研究プログラムは、200mmウェハ上でのGaN-on-Siテクノロジの開発、コストの削減、GaNデバイスの性能向上に注力したもので、主要なIDM(Integrated Device Manufacturer)、ファウンドリ、化合物半導体メーカー、装置メーカー、基板メーカーが参加している。
すでに2011年にIMECでは、200mmのGaN-on-Siウェハの製造に成功しており、これにより標準の高生産性200mmファブでの処理が実現可能なレベルに達している。また、コスト効果を高めるために第2の必須条件である標準CMOSプロセスおよびツールと互換性がある製造工程も開発が進められているという。
