GLOBALFOUNDRIES(GF)は9月20日(米国時間)、モバイル機器市場向けに設計されたFinFETトランジスタアーキテクチャ「14nm XMテクノロジー」を発表した。
同アーキテクチャは、3次元FinFETトランジスタの高性能と低消費電力の利点に加えて、リスク低減と製品投入期間の短縮などのメリットを提供し、次世代モバイル機器の開発を可能にしながら、ファブレス・エコシステムの成長に寄与するものと期待されている。
14nm XMのXMは「eXtreme Mobility(究極のモビリティ)」に由来しており、モバイル機器に最適化したSoCデザインとして、ノンプレーナーアーキテクチャを採用、トランジスタからシステムレベルにわたる最新のソリューションを提供する。現行の20nmノードの2次元プレーナートランジスタによるテクノロジーと比較してバッテリー寿命を40～60%改善させる効果があるという。
また同アーキテクチャは、14nmFinFETデバイスとGFの製造ラインで実積がある20nm LPMプロセスを組み合わせたモジュール技術となっている。20nm LPMを活用したことにより、早期にFinFET SoCのメリットを享受したいというユーザー向けに新技術への迅速な移行を可能にすると同社では説明している。
なお同技術は現在開発中で、ニューヨーク州サラトガ郡にある同社のFab8でテストチップの試作が進められている。すでに、早期プロセス設計キット(PDK)が提供されており、実際の製品のテープアウトは2013年を予定している。
