米Applied Materials(AMAT)は6月6日(現地時間)、20nmノード向け枚葉式高電流イオン注入装置「VIISta Trident」を発表した。

20nmノードでは、ドーパントの最適な活性化と、エクステンション、ソース/ドレイン接合およびコンタクトの各領域における欠陥抑制が、高性能トランジスタのスケーリングにおける課題となっている。同製品は、ドーパント濃度と深さ方向プロファイルを正確に制御することで、先端デバイスにおける性能の最適化、リーク電流の抑制、バラつきの低減を可能にした。

今回の「VIISta Trident」は、独自の低エネルギー能力を強化したデュアルマグネット・リボンビーム方式を採用、優れた高電流イオン注入性能を実現した。また、トランジスタチャネル領域でリーク電流の増加や性能劣化をもたらす有害な高エネルギー汚染を、Energy Purity Module(エネルギー・フィルター・モジュール)の採用でほぼ完全に除去している。

さらに、極低温注入機能の搭載により、-100℃までの低温で高スループットのイオン注入を行うことができ、トランジスタのマッチングに求められる高度なプロセス制御を実現する。同機能は、特にオンチップのキャッシュメモリ用の埋め込みSRAMセルの製造などで重要な役割を果たすという。モバイルコンピューティングに求められる安定した低電圧スイッチング性能を得るには、各セルを構成する6～8個のトランジスタを高精度でマッチさせる必要があるためとしている。

なお、同装置はすでに主要ファウンドリ全社が、20nmノード向け装置として標準採用しているという。

高電流イオン注入装置「VIISta Trident」