TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

ニュース
トップ

TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

OFFICE-SANGA  [2012/02/08]

Texas Instruments(TI)は、同期整流器や高力率コンバータなどのローサイド・アプリケーションにおいて、窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)およびMOSFETを駆動するローサイド・ゲート・ドライバ「LM5114」を発表した。

同製品は、高性能テレコム、ネットワーキング、データセンタ・アプリケーションで使用されるハイパワーのGaN FETとMOSFETに対して、包括的な絶縁型DC/DC変換ドライバ・ソリューションを提供するFETドライバ・ファミリの新製品で、立ち上がり・立ち下がり時間を最適化する独立ソース、シンク出力により効率アップを可能にしたほか、+4V~+12.6Vの単一電源により広範なアプリケーションをサポート。

さらに、意図しないターンオンの防止、DV/DT耐量の最大化やデッドタイム・ロスの低減化をはじめ、12ns(代表値)の伝搬遅延時間による高効率をキープしながらの高いスイッチング周波数、Vccの大きさに関わらず最大14Vのロジック入力、-40℃から+125℃までの幅広い動作温度範囲などを可能にしている。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しており、6ピンのSOT-23パッケージと露出パッド付きの6ピンLLP .A Nパッケージで販売される。1,000個受注時の参考単価は0.58ドルとなっている。

関連したタグ


ITセミナー

一覧
  • Java高速開発ツールの最先端…APサーバの再起動が不要に! 年間約5週間以上の工数を削減
    インフォメーションディベロプメント 照井氏

  • 流通・小売で最先端の取り組みを行う3社のデータ活用事例、ノウハウをご紹介
    【Session】ファミリーマート 坂井氏

注目特集

特別企画

一覧

    人気記事

    一覧

    イチオシ記事

    新着記事

    山下智久主演『アルジャーノンに花束を』、清川あさみ製作ポスター原画展示
    [18:18 3/30] エンタメ
    8.6秒バズーカー、素顔封印へ - 哀川翔も助言「サングラス取るの早すぎ」
    [18:13 3/30] エンタメ
    【レポート】GILT、公式LINEアカウントキャラクター「ゆきちゃん」のデビューイベントを原宿/表参道で開催
    [18:06 3/30] 携帯
    LCC・ピーチが成田空港拠点化スタート - 初便の福岡線は搭乗率92%
    [18:04 3/30] 旅行
    石田ゆり子、CMでチャーミングな妻を熱演! ビビる大木からラブコールも
    [18:00 3/30] エンタメ

    特別企画

    一覧