TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

ニュース
トップ

TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

OFFICE-SANGA  [2012/02/08]

Texas Instruments(TI)は、同期整流器や高力率コンバータなどのローサイド・アプリケーションにおいて、窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)およびMOSFETを駆動するローサイド・ゲート・ドライバ「LM5114」を発表した。

同製品は、高性能テレコム、ネットワーキング、データセンタ・アプリケーションで使用されるハイパワーのGaN FETとMOSFETに対して、包括的な絶縁型DC/DC変換ドライバ・ソリューションを提供するFETドライバ・ファミリの新製品で、立ち上がり・立ち下がり時間を最適化する独立ソース、シンク出力により効率アップを可能にしたほか、+4V~+12.6Vの単一電源により広範なアプリケーションをサポート。

さらに、意図しないターンオンの防止、DV/DT耐量の最大化やデッドタイム・ロスの低減化をはじめ、12ns(代表値)の伝搬遅延時間による高効率をキープしながらの高いスイッチング周波数、Vccの大きさに関わらず最大14Vのロジック入力、-40℃から+125℃までの幅広い動作温度範囲などを可能にしている。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しており、6ピンのSOT-23パッケージと露出パッド付きの6ピンLLP .A Nパッケージで販売される。1,000個受注時の参考単価は0.58ドルとなっている。

関連したタグ


注目特集

関連記事

関連サイト

新着記事

特別企画

一覧

    人気記事

    一覧

    イチオシ記事

    新着記事

    ユニットコム、はめ込み式のフロントパネルをはがせるオープンプライヤー
    [19:32 12/18] パソコン
    Fostex、マイクロホンユニットのレッドカラーモデル「AR101(R)L」発売
    [19:32 12/18] クリエイティブ
    【連載】ダイエット? してるわよ、毎日!! 第9回 「ダイエットは明日から」なんて初心者の言うことよ
    [19:25 12/18] ヘルスケア
    【レビュー】ミスタードーナツの新食感スイーツ「ブルックリン D&D」を食べてみた!
    [19:25 12/18] ライフ
    [バンクーバーの朝日]妻夫木主演 歴史に埋もれたカナダの日本野球チームの活躍を描く
    [19:23 12/18] エンタメ

    特別企画

    一覧