TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

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TI、GaN FET/MOSFET向けローサイド・ゲート・ドライバを発表

OFFICE-SANGA  [2012/02/08]

Texas Instruments(TI)は、同期整流器や高力率コンバータなどのローサイド・アプリケーションにおいて、窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)およびMOSFETを駆動するローサイド・ゲート・ドライバ「LM5114」を発表した。

同製品は、高性能テレコム、ネットワーキング、データセンタ・アプリケーションで使用されるハイパワーのGaN FETとMOSFETに対して、包括的な絶縁型DC/DC変換ドライバ・ソリューションを提供するFETドライバ・ファミリの新製品で、立ち上がり・立ち下がり時間を最適化する独立ソース、シンク出力により効率アップを可能にしたほか、+4V~+12.6Vの単一電源により広範なアプリケーションをサポート。

さらに、意図しないターンオンの防止、DV/DT耐量の最大化やデッドタイム・ロスの低減化をはじめ、12ns(代表値)の伝搬遅延時間による高効率をキープしながらの高いスイッチング周波数、Vccの大きさに関わらず最大14Vのロジック入力、-40℃から+125℃までの幅広い動作温度範囲などを可能にしている。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しており、6ピンのSOT-23パッケージと露出パッド付きの6ピンLLP .A Nパッケージで販売される。1,000個受注時の参考単価は0.58ドルとなっている。

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