ブリヂストンは、次世代パワー半導体向けに5インチ(125mm)の高品質SiCウェハを開発したことを発表した。

同ウェハは、独自の高純度粉体原料と最終製品まで一貫したクリーン製造プロセス技術を特徴としており、新たに開発したシミュレーション技術と温度制御技術を採用することで、高品質と口径拡大の両立に成功した。

これらの技術を用いることで結晶品質は量産レベルを実現しており、同社では同ウェハを次世代パワー半導体用途として活用できるものと考えていると説明している。

なお、同社では市場ニーズがより高い6インチ(150mmウェハ)品についての開発も2012年下期の製品化を目指して開発を進めているという。