エルピーダメモリは2月10日、同社子会社の台湾Rexchip ElectronicsのR&Dセンターにおいて、4F²のメモリセルを用いた1GビットのDDR3 SDRAMの試作に成功したことを発表した。

RexchipのR&Dセンターは2010年より研究開発活動を開始し、4F²メモリセルを用いたDRAMの開発をエルピーダと共同で行ってきており、今回、65nmプロセスを用いて同DRAMを試作することに成功したという。

今回、両社が開発した4F²メモリセルはSi基板中にビットライン、ワードラインを形成し、縦型トランジスタを用いることで2F×2F(Fは最小加工寸法)のメモリセルを実現したというもの。

従来の6F²メモリセルに比べてセルサイズは約30%縮小され、チップサイズ、チップ取得数は同社の50nmプロセスDRAMとほぼ同等となったという。

また、同技術は信号の保持特性に優れていると同社では説明しており、動作性能の優れる縦型トランジスタを用いることで、次世代のDRAMを実現するための有力な基礎技術となるとするほか、消費電流の少ないMobile DRAMにも適用可能としている。

なお、Rexchipでは、今後も引き続き、同4F²メモリセル技術の開発を中心に研究を進めていくとしている。