ルネサス エレクトロニクスは12月14日、パワー半導体事業強化の一環として自動車向けにNチャネルの40V・55V耐圧パワーMOSFET32品種を開発。従来パッケージの約1/2の面積かつ75Aまで通電可能なHSONパッケージに封入した「NP75N04YUK」のサンプル出荷を開始したことを発表した。サンプル価格は110円、量産は2011年4月から開始する予定のほか、後続品種についても2011年1月より順次サンプル出荷を開始する計画としており、2012年にはHSON製品全14品種合計で月産200万個を計画している。

自動車向け低オン抵抗NチャネルパワーMOSFET「NP75N04YUK」

同製品は、低オン抵抗と低ゲート電荷量をバランスよく両立するよう最適化した新プロセス「ANL2」を採用。オン抵抗とゲート電荷量は相反する関係にあるため、それらの積はプロセスの性能指数として用いられるが、同製品ではこの指数を従来プロセス「UMOS4」と比べて約40%低減することに成功している。

また、パッケージはサイズを従来品(TO-252)の約1/2に小型化しつつ放熱性に優れるHSONパッケージ(外形寸法:6mm×5.15mm)を採用。これにより、40V耐圧製品で3.3mΩと、自動車向けに開発された同等サイズの製品と比べ低いオン抵抗性能を実現している。

さらに、電動パワーステアリングをはじめとする大電流用途に最適な電流定格180A対応の製品から、小型ソレノイド駆動用途に最適な35Aクラスの製品まで、実装形態に応じて各種パッケージ(TO-263-7pin/TO-263/TO-252/HSON/TO-220/TO-262)へ幅広く展開しているほか、耐圧を40Vと55Vの2系列とすることで、幅広い用途に対応することが可能となっている。