DOWAホールディングス子会社のDOWAエレクトロニクスは、従来の紫外LEDと比べてさらに波長の短い深紫外LEDの実用化に成功、市場開拓に向けサンプル出荷を開始したことを発表した。

深紫外LEDは樹脂硬化、接着、乾燥、治療、各種分析、光触媒、水浄化および殺菌などの用途で使用が見込まれており、従来の水銀光源をLED化することにより、波長の多様化、水銀フリー化、長寿命化などの実現が期待されている。

深紫外LEDは窒化物半導体の一種で今回、DOWAエレクトロニクスは波長が300～350nmの深紫外LEDチップの実用化に成功した。

同社が有するAlNテンプレート(サファイア基板上に成長する高品質AlN膜)と米Palo Alto Research Center(PARC)および理化学研究所(理研)から導入した紫外LEDエピ成長技術を組み合わせ、応用することで、同LEDを実現したという。

サンプル提供を開始した深紫外LEDは、320～350nmの波長範囲で、投入電流20mA時に1.4mWの光出力を達成している。試作・量産化は製造子会社であるDOWAセミコンダクター秋田が行うほか、今後はさらなる高出力化を図るとともに、より短波長の深紫外LEDチップの開発にも取り組んでいくとしている。

開発された深紫外LEDチップ(ごく僅かな可視光があるため、青白色に発光している)

なお、DOWAエレクトロニクスはGaAs系製品に強みを有しているほか、近年、窒化物半導体のラインアップ拡充を進めており、すでに第1弾として窒化物系電子デバイス(HEMT)エピを次世代携帯電話基地局向けなどの高周波用途、パワー半導体向けに販売している。今回の深紫外LEDチップは同系製品の第2弾となり、同社では、これにより半導体事業の基盤をさらに強固にすることを目指すとしている。