大日本印刷(DNP)は1月14日、次世代の高密度半導体パッケージング技術の1つであるシリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)向けの同社標準デザインによる評価用基板を開発したことを発表した。1月中の販売開始を予定している。

同基板は、シリコンインターポーザーの汎用型となるもので、ビア径φ50μm、ランド径φ110μm、ピッチ200μm、深さ(厚さ)400μmでアスペクト比1:8となっている。TSV実装のための必要な機能を網羅し、標準タイプとして製造することで、従来個別に提供していた評価用基板と比較して価格を半分以下に抑えることが可能になったという。

TSVのX線透過写真

貫通部はCuめっきで形成され、表裏1～2層の配線層を形成。TSVの各種基本特性(電気抵抗、高周波特性など)の確認が可能なほか、基板の表裏配線層には顧客の要望どおりに配線設計をカスタマイズすることも可能であり、ウェハサイズも150mmおよび200mmが選択可能となっている。

TSVの断面写真

なお、同社では、高密度パッケージ技術のチップ積層化技術として、TSV実装によるインターポーザーを開発している企業に対して、DNP標準デザインにてTSVの評価用基板を販売するとともに、MEMSファウンドリメーカーとして、高密度パッケージ技術における多様なソリューションを提供していくとしている。