Texas Instruments(TI)は、大電流用DC/DCアプリケーション向けに、標準形状のパッケージながらパッケージの上端で放熱を行うパワーMOSFETの製品ファミリ「DualCool NexFET」5製品を発表した。

同ファミリは、高電圧側と低電圧側の両スイッチにシングルMOSFETを使用した短相35A同期整流降圧型コンバータ向けのMOSFET。パッケージ上部の放熱インピーダンスを従来の10～15℃/Wから1.2℃/Wに低減したことで熱損失特性を最高で80%低減することに成功している。

また、高電圧/低電圧双方で高効率の放熱により、FETから供給する電流を最高50%向上できるため、設計における最終機器のサイズを増加させずに、より校電流のプロセッサを使用することが可能だ。

なお、同ファミリはすでに量産出荷を開始しており、1,000個受注時の価格は参考価格でV_DS25V、Q_GD3.5nC、Q_GS6.6nC品である「CSD16325Q5C」で1.47ドルとなっている。