エルピーダメモリは12月22日、同社広島工場において、40nmプロセスを採用した2GビットDDR3 SDRAMの量産を開始したことを発表した。同メモリは2009年10月に開発を完了しており、当初の予定通り、約2カ月での量産投入となる。

今回発表された40nmプロセス 2GビットDDR3 SDRAM

同メモリは、製造プロセスの微細化により、従来の50nmプロセス品比で、ウェハあたりのチップ取れ数が44%増、速度および歩留まりも現行のDDR3規格の最高速度となる1.6Gbps品で100%を達成しており、さらなる高速規格にも対応可能という。消費電力も50nmプロセス品比で約2/3に低減、DDR3標準の1.5Vのほか、1.2Vおよび1.35Vもサポートしており、消費電力を約半分に削減することができる。

同社では、40nmプロセス2GビットDDR3品を広島工場にて順次投入量を増やしていく予定だ。ほか、2010年第2四半期には台湾Rexchip Electronicsに製品を移管し、40nmプロセス品の構成を増やし、さらなるコスト削減を狙う計画。さらに、DRAMの市況次第では、パートナーであるProMOS TechnologiesやWinbond Electronicsなどにも同プロセスを提供していく予定としている。