中国TankeBlue Semiconductor(北京天科合達藍光半導体)は、3インチのSiCウェハの増産を開始したことを明らかにした。

同社が増産するSiCウェハはマイクロパイプ密度が10cm-2以下の4HーSiCで、固定抵抗(0.03Ω.cm以下)、X線ロッキングカーブの半値幅(FWHM:30arcsec)などの基本パラメータは、米国や欧州のサプライヤと比べても遜色はないとしている。

また、すでにカスタマにより、ショットキバリアダイオード、メタル半導体/酸化物電界効果トランジスタ(FET)などで他サプライヤのSiCウェハ上の素子と遜色が無いことも実証されている。

なお、同社では、今後4インチSiC結晶成長の開発を進めていくことに注力するとしている。