ルネサス、車載モータ駆動用高出力HブリッジドライバICを製品化

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ルネサス、車載モータ駆動用高出力HブリッジドライバICを製品化

  [2009/07/06]

ルネサス テクノロジは、パワーウインドウ、電動ドアなどの車載DCモータ駆動向けに、高出力HブリッジドライバIC「R2J25953」を製品化したことを明らかにした。2009年7月30日よりサンプル出荷を開始、サンプル価格は700円となっている。

高出力HブリッジドライバIC「R2J25953」(左が表面、右が裏面)

同ドライバICは、パワーMOSFET4素子とドライバICを1パッケージ化した製品で、パワーMOSFETとしては同社のトレンチゲートMOSFETを採用するなどにより、15.9mm×14.2mmのパッケージサイズを実現し、従来の同数の素子を実装した場合と比較し、30%以上実装面積を低減することを可能としながら、最大50Aの出力電流を実現した。

また、トレンチゲートMOSFETを採用したことにより、ハイサイド用MOSFETは16mΩ(max)、ローサイド用MOSFETは11mΩ(max)のオン抵抗を実現しているほか、スイッチング時の貫通電流防止、および出力OFF時の回生駆動により、PWM駆動時の損失についても低減しており、車載DCモータ制御ユニットの低損失化が可能となる。加えて、待機時の消費電流は、ドライバIC回路の設計最適化を施したことにより、30μA(max)に抑制することに成功している。

さらに、保護機能としてLVI(Low Voltage Inhibit)、過電圧や、天絡、地絡、過熱保護回路などの各種保護機能を内蔵しており、異常検出時にはダイアグノシス(自己診断機能)情報が出力されるため、この信号をシステム側のマイコンなどで受信し、システムを停止するなどユーザの用途に応じた対応が可能だ。

このほか、内部回路にて出力スルーレートコントロールを実施、低スイッチングノイズ性能を実現しているのに加え、ハイサイド用MOSFETにpチャネルタイプを採用することで、出力段素子のゲート電圧昇圧回路を不要とし、駆動回路に起因するノイズを削減している。また、車載用途に対応すべく、高いESD耐量を実現している。

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