IBMおよび、シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing、米GLOBALFOUNDRIES、独Infineon Technologies、韓国Samsung Electronics、伊仏STMicroelectronicsらは4月16日(米国時間)、28nmのバルクCMOSプロセスを開発中であることを明らかにした。

低消費電力プロセスであり、High-K/メタルゲートを採用することで、携帯機器(MIDなども含む)およびコンシューマ機器向けに向けるという。

すでに同プロセスの評価キット(Evaluation Kit)は、アーリーアクセスのカスタマ向けに2008年12月より提供を開始しており、一般カスタマ向けにも2009年3月より提供を行っている。また、一部の生産については先行して2010年後半にも開始することを予定している。

同プロセスの性能については、アーリーアクセルのカスタマおよび各種パートナーとともに行った試験では、45nmプロセス比で40%のパフォーマンス向上ならびに20%の電力削減が可能になるとする。また、セルサイズについても0.120μm²を実現、低電圧駆動ながら高い性能と低リーク、安定動作が可能となっているとする。

なお、同アライアンスでは、同プロセスについて、従来以上の性能を実現しながら、少ないスタンバイ電力ならびにチップサイズの小型化が可能になることにより、次世代モバイルインターネットデバイスなどのバッテリの長寿命化、処理速度向上などに貢献していけるものとしている。