NECエレ、先端プロセス開発の新拠点をNECセミコンダクターズ山形内に開設

      [2009/04/03]

    NECエレクトロニクスは4月3日、山形県鶴岡市の半導体製造子会社「NECセミコンダクターズ山形」の敷地内に、次世代半導体の開発拠点として「NECエレクトロニクス山形開発センター」を新設、開所式を執り行ったことを発表した。

    NECエレは、先端プロセスの開発・試作をこれまで同社相模原事業場で行ってきたが、拠点の統廃合などを進める一環として同事業場の設備などをNECセミコンダクターズ山形に移管することを決定、2008年12月までに山形開発センターに移転を行ったほか、相模原で従事していた技術者などの転換も行った。

    同センターでは、300mmウェハ対応の量産ラインに併設された開発試作室で次世代半導体の量産技術の確立に向けた開発を行っていくほか、DRAM混載技術などの独自技術開発も行っていく。

    なお、NECエレクトロニクスでは40nmプロセスのデバイス試作品をカスタマに提供を行っており、2009年10月より量産を開始することを予定している。

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