電子ビーム(EB)技術のサプライヤ独Vistec Electron Beam、仏原子力庁の電子・情報技術研究所であるCEA/Leti、EB直接描画(直描)技術向け設計およびソフトウェアの提供を行う米D2Sは、45nmおよび32nmの半導体設計向けに、Design-For-E-Beam(DFEB)ソリューションをリファインし、評価することを中心とした協業を行うことで合意したと発表した。

同合意に基づき、今後1年間で、CEA/LetiがD2SのDFEB設計技術およびソフトウェア機能、ならびにVistecのEB直描装置「SB3054」を用いて、45nmおよび32nmプロセスのテストチップの試作を行う。

D2Sが独自に開発したDFEBソリューションは、繰り返されるパターンを抽出、ミニ・レティクル上にテンプレート化することができるほか、個々のチップの設計に対し、パターンの繰り返し利用を促進し、ミニ・レティクルを効率よく利用できるように設計を最適化することが可能だ。

定型パターンをあらかじめ電子線露光マスク(ステンシル)として用意することで、露光のショット数を減らす部分一括露光(CP:Character Projection)方式を活用したVistecのSB3054を使用することにより、複雑なパターンを1回のビーム照射で複製できるようになり、これにより可変整形ビーム(VSB:Variable Shaped Beam)方式に比べてスループットを改善すると同時に描画精度も向上できるという。