50nmプロセスDDR3 SDRAM

エルピーダメモリは26日、2.5Gbps動作、1.2V低電圧駆動を世界最小のチップサイズで実現した50nmプロセスDDR3 SDRAMの開発を完了したと発表した。量産は2009年1-3月期より開始される予定だ。

世界最新のArF液浸露光、および銅配線技術を適用、40mm以下のチップサイズを達成している。データレートは800Mbps/ 1066Mbps/ 1333Mbps/ 1600Mbps/ 1866Mbps/ 2133Mbps/ 2500Mbps。また、DDR3標準の電源電圧である1.5Vだけでなく、1.35V、および1.2Vの低電圧仕様に対応。70nmプロセス品と比較して最大50%もの消費電力削減を達成しているのも特徴のひとつだ。

同社では、50nmプロセスDDR3 SDRAMを携帯電話向けMobile RAMをはじめ、ハイエンドのデジタル家電向け製品へも積極的に展開していくとしている。