IntelとMicron Technologyは11月24日 (現地時間)、34nmプロセスによる32Gbマルチレベル・セル(MLC) NANDフラッシュメモリーの量産開始を発表した。両社のジョイントベンチャーであるIM Flash Technologies (IMFT)で開発された独自の製造技術により、48ピンのTSOP(TSOP: Thin Small Outline Package)に収まるモノリシック構造の32Gb NANDチップを実現した。ユタ州LehiにあるIMTFの300mm工場において、年内に製造キャパシティの50%以上を34nmに切り換える。

34nmの32Gb NANDチップのダイサイズは172平方ミリ。「デジタルカメラや音楽プレーヤー、デジタルカムコーダーなどスモールフォームファクタ製品向けに、コスト効率に優れた高密度なソリッドステート・ストレージを実現する。またSSDにおいても現在のストレージ容量を大幅に引き上げ、コスト効率を改善する」としている。

2社はまた、34nmプロセスで密度を下げたMLC品とシングルレベル・セル(SLC)品のサンプリング生産を2009年前半に開始する計画を明らかにした。