大日本スクリーン製造(DNS)は10月24日、ウェハのベベル部(端面および隣接する傾斜部分)に付着した金属残渣の除去技術「ベベルエッチングチャンバー(BEC)」を開発したことを発表した。

半導体製造においては、プロセスの微細化に伴う新材料の導入が進む一方で、それらの残渣などがウェハの表面へ付着・拡散することによる歩留まりの低下が課題となっていた。また、ウェハ価格の高騰やチップ取れ数の拡大要求への対応策として、ウェハ端部の活用が進められてきた。

同技術は、ウェハ保持機構や処理方法を従来のベベルエッチング機能から一新。ウェハの位置決めの高精度化を図ることにより、端面から1～3mmの範囲内で0.1mm単位のエッチング幅の制御を可能としたほか、エッチング処理の均一性の追及により、ウェハ1枚当たりの生産性とエッチング工程における歩留まりの向上を実現している。

従来のエッチングプロセス(左)とBECによるエッチング(右)

なお、同社では、同技術を投入することで、今後成長が期待されるベベルエッチング市場でのシェア拡大を図っていくとしている。