エルピーダメモリは12日、世界初を謳う2.5Gbps動作の1Gb DDR3 SDRAMを開発したと発表した。従来のアルミ配線と比べ伝送特性に優れるという銅配線プロセス採用、これを前提とした最適化設計、新規回路技術の適用により、1.2Vの低電圧駆動も達成しているという。8月中にサンプル出荷を開始する予定だ。

同製品では、DDR3では標準的な1.5V電圧のほか、1.35V、1.2Vの電圧規格にも対応。1.5Vで2.5Gbps、1.2Vで1.8Gbpsの最大データ転送速度を実現した。同一チップで幅広い動作電圧と動作周波数に対応する互換性の高さも特徴とされている。