LSI・オブ・ザ・イヤーが決定 - グランプリはソニーのCMOSイメージセンサ

      [2008/07/04]

    7月4日、半導体産業新聞(産業タイムズ社発行)主催の「第15回 LSI・オブ・ザ・イヤー 2008」が発表された。今年はデバイス分野で957点、設計環境/開発ツール分野で62点の応募やノミネートがあった。

    今年のデバイス分部門のグランプリは、ソニーが今年1月に発表したデジタル一眼レフカメラ向けのCMOSイメージセンサが受賞した。このCMOSイメージセンサは、35mmフルサイズ(対角43.3mm、2.7型)で有効2,481万画素という高解像度を実現したもの。また独自のカラムA-D変換方式を採用することにより、ノイズを低減し、信号の読み出しを高速化している。

    グランプリの受賞にあたって、ソニーの半導体事業本部・上田康弘氏は「こういった場でセンサが表彰されるのは非常に嬉しい。世界中のセンサ開発者たちと喜びを分かち合いたい」「写真を撮るということは、各家庭のいちばん大切な時間を切り取るというこということ。そこに最高の、クォリティの高いセンサを届けたい」と語った。

    グランプリ受賞の喜びを語るソニーの半導体事業本部・上田康弘氏

    設計環境/開発ツール部門では、米Mentor Graphics(日本法人はメンター・グラフィックス・ジャパン)のハードウェア支援検証プラットフォーム「Veloce」が優秀賞を受賞した。

    今年から新設された学生部門では、インドネシアのInstitut Teknologi Bandung(ITB:バンドン工科大学)のOky Fimansyah氏ら3人が開発したRSA暗号のCODECに奨励賞が贈られた。

    LSI・オブ・ザ・イヤーは、過去1年間において最新のエレクトロニクス製品の開発にもっとも貢献したLSI(デバイス)および設計環境/開発ツールを選出し、表彰するもの。これまでは毎年「組込み開発総合技術展」(ESEC)にて発表と表彰が行われていたが、今年は東京・秋葉原の近くにある神田明神会館にて表彰式が開催された。

    第15回 LSI・オブ・ザ・イヤー 2008

    デバイス部門

    グランプリ ソニー
    35mmフルサイズ有効2,481万画素CMOSイメージセンサ
    準グランプリ ルネサス テクノロジ/日立製作所/早稲田大学
    8個のCPUコアと8個のDRAMが独立電源遮断可能なマルチコアLSI:RP2
    優秀賞 エヌビディア
    ノートブック向けGPU「GeForce8700M」
    優秀賞 フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン
    通信プロセッサPowerQUICC「Multicore Communications Platform」
    優秀賞 ローム
    SiC(シリコンカーバイト)トレンチ型MOSFET&300A SBD

    設計環境/開発ツール部門

    優秀賞 メンター・グラフィックス・ジャパン
    次世代型ハードウェア支援検証プラットフォームVeloceファミリ

    学生部門

    奨励賞 バンドン工科大学(インドネシア) Oky Fimansyah氏ほか2人
    RSA暗号の暗号化器と復号化器

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