エルピーダメモリと独Qimondaは11日、DRAMの共同開発に関する技術提携について、正式契約を締結した。また、IPに関する広範なクロスライセンス契約も結んだ。契約内容については、既報のとおり。

この契約により、両社はそれぞれの開発拠点(広島と独ドレスデン)にエンジニアを派遣し合い、Qimondaは埋め込み型ワード線技術を、エルピーダはスタックキャパシタ技術を提供する。これらの技術をベースに、テクノロジープラットフォームと設計ルールの開発を共同で行い、2010年までに4F2セルを適用した40nm世代のプロセスを市場に投入するという。さらに、30nm世代への展開も目指す。

そのほか両社は今後、TSV(貫通電極)技術および次世代メモリ分野での共同開発や、合弁生産の可能性についても協議していくという。