米Intelと米Micron Technologyは29日(現地時間)、業界初という40nm以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、両社が共同で開発を手がけた、多値セル技術採用の34nmの32Gビット製品を発表した。

今回発表された34nm 32GビットNAND型フラッシュメモリは、現在のNAND製品市場で最小の線幅となるもので、1チップで提供され、同じ容量の製品のなかで標準的な48ピンTSOPパッケージに収まる唯一の製品とされる。両社の合弁会社、IMフラッシュテクノロジーズで製造され、サンプル出荷は6月、量産出荷は2008年後半に開始される予定だ。

この34nmの32Gビット製品は、300ミリ・ウェハで製造される計画で、ウェハ一枚あたり1.6テラバイトものNANDフラッシュメモリが製造されることとなる。ダイサイズは172平方ミリメートルで、携帯端末などの小型機器にもコスト効率よく大容量のSSDを収容できるようになる。

また両社は、34nmアーキテクチャを採用した多値セルの低容量品や、シングルセル品を年内に随時追加することを計画している。