IBMと日立製作所は10日、32nmプロセス以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を2年間にわたり共同で行うことに合意した。両社はこれまで企業向けサーバ製品などで協業を行ってきたが、半導体の技術開発分野で協業するのは初めてとなる。

今回の合意により、プロセスの微細化によって発生するトランジスタのバラつきの特性や計測方法の向上およびデバイス物理学の理解を深めるべく、32nmプロセス以降のデバイスならびに素子構造を分析する新しい評価方法を用いた基礎研究を行う。

なお、これに伴って、両社および日立製作所の子会社である日立ハイテクノロジーズの技術者は、米国ニューヨーク州立大学アルバニー校(Albany NanoTech Complex, The College of Nanoscale Science and Engineering, the University at Albany, State University of New York)の研究施設で共同研究を行う。