Micron、50nmプロセス採用の高速NAND型フラッシュメモリを開発

 

DRAMやNAND型フラッシュメモリの大手ベンダである米Micron Technologyは、従来のNAND型フラッシュメモリと比較して短時間でデータを転送可能な高速NAND製品のサンプル出荷を開始した。

同製品は、SLC(Single Level Cell)を採用した8Gビット品で、NANDのインタフェース仕様ONFI2.0と、従来製品よりも高いクロックで動作可能な4つのプレーン・アーキテクチャを用いることで、標準SLC NAND型フラッシュメモリの約5倍となる最高200MB/secの読み込み速度と100MB/secの書き込み速度を実現する。これにより、USB2.0の10倍の帯域幅である約4.8Gbpsを目標に策定が進むUSB3.0にも対応が可能となるほか、パソコンに搭載されるIntel Turbo Memoryなどのソリューションにおいて、NVMHCI (Non-Volatile Memory Host Controller Interface)に使用すると、システムパフォーマンスの向上が可能となる。

採用プロセスは50nmで、Intelと同社の合弁会社IM Flash Technologies(IMFT)が製造を担当、2008年下期からの量産開始が予定されている。このほか、Micronでは2009年中にONFI2.0仕様のNAND型フラッシュメモリ製品を発表する予定だ。

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