東芝は18日、次世代の半導体製造技術である32nmバルクCMOSプロセス技術をIBMらと共同で開発することに合意したと発表した。

IBMは今年(2007年)5月、シンガポールのChartered Semiconductorや独Infineon Technologiesらと32nmバルクCMOSプロセス技術をIBMの300mm半導体製造施設(米国ニューヨーク州イーストフィッシュキル)にて共同で開発すると発表している。今回、東芝はこのアライアンスに加わることになった。

IBMと東芝は、2005年12月から米国ニューヨーク州ヨークタウンおよびアルバニーの研究施設において32nm以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてきた。今回の合意により、共同開発の対象を32nmバルクCMOSプロセス技術まで拡大する。

東芝では、「東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(神奈川県横浜市)で行う量産化に向けた32nm世代のプロセス開発を加速していき、最先端デバイスの早期量産化を目指す」としている。なお、同社は今年11月、同施設においてNECエレクトロニクスと32nmのシステムLSIプロセス技術を共同で開発していくと発表している。