米Intelは10月25日 (現地時間)、「Fab 32」と呼ばれるアリゾナ州チャンドラの半導体工場で45nmプロセス・ルールによるプロセッサの量産を開始したことを発表した。同社初となる45nmプロセッサは11月12日に登場する予定だ。

Fab 32は30億ドルを投じて建設した同社としては6番目となる300ミリウエハの製造施設だ。クリーンルームの広さは18万4000平方フィート。45nmプロセスでは、ハフニウムをベースとしたHigh-kゲート絶縁膜と金属の複合材料を用いたゲート電極を採用。完全な鉛/ ハロゲン・フリーを実現する。Fab 32は製造面で最先端であるだけではなく、環境面でも電力や工業用水の節減を追求した施設となっており、同社は同工場でLeadership in Energy and Environmental Design (LEED)の認定を求めるという。

Fab 32。オレゴン州の開発製造施設D1Dに次ぐ45nmプロセス対応施設

45nmプロセスを用いた300ミリウエハ

IntelはFab 32に続く45nmプロセス/ 300ミリウエハの製造施設として、2008年にイスラエルのFab 28とニューメキシコ州リオランチョのFab 11xを稼働させる計画だ。