米IBM Researchは20日(現地時間)、波長193nmのDUV(深紫外線)光を使ったリソグラフィ技術により、ライン幅29.9nmという微細なパターンの生成に成功したと発表した。現在半導体業界で利用されている光学リソグラフィ技術の延長により、次々世代の32nmノード、そしてそのさらに先のプロセスノードにまで対応できる可能性が示唆されている。

半導体回路の微細化要求に応えるため、現在、次世代のリソグラフィ技術として、軟X線領域のEUV(極端紫外線)光を使う手法が検討されている。しかし波長の短さ故に、これまでのレンズを用いた透過光学系が使えず、ミラーによる反射光学系が必要になる。大きな技術的変革を伴うもので、優れた性能と引き替えに、コストの高さが問題の1つとして懸念されていた。

今回の成果は、そのEUVリソグラフィへの移行について、「業界に少なくとも7年間の猶予を与える可能性を示す、今までで最も強力な証となる」(IBM Almaden研究所のリソグラフィ・マテリアルズ担当マネージャ、Robert D. Allen博士)という。この29.9nmのラインパターン生成には、米JSR Microが開発した新素材が使われたことが明らかにされている。

IBM Researchは、レーザー光の干渉を利用する干渉液浸リソグラフィ・テスト実験装置「NEMO」を開発しており、今回の成果もこの装置によるものと見られる。詳細については、米国カリフォルニア州で開催されている「SPIE Microlithography 2006」カンファレンスにて発表される予定だ。