Rambusは2月17日(米国時間)から開催されるIDF(Intel Developer Forum)にて、東芝製 512Mb XDR DRAMのデモンストレーションを行うと発表した。同社によるとSamsungも同様のデモを計画している。デモンストレーションでは3.2GHzという高速動作が示されるとのことで、同社によれば、「今日使用されているメインメモリの8倍の速度であり、最速のメモリデバイス」であるという。

XDRは以前、「Yellowstone」と呼ばれていた高速インタフェース技術で、同社と東芝・エルピーダメモリは同技術を使用した「XDR DRAM」の生産計画を発表している。生産計画では2004年に製品化、2005年に量産開始というスケジュールになっており、2003年に行われたRambus Developer Forumでは、同技術を使用し、3.2GHz動作するPC用メモリモジュールを2006年に製品化・市場投入する計画を明らかにしていた。

すでに「昨年12月からサンプル出荷は開始されている」(東芝 Shozo Saito氏)ほか、SamsungのTom Quinn氏は「2004年から2005年に向けて、XDR DRAMの量産を開始できればと期待しています」とコメントしている。