ラムバス、東芝、エルピーダメモリの3社は、従来「Yellowstone」と呼ばれていた高速インタフェース技術の正式名称を「XDRメモリインタフェース」と発表、併せて同技術を使用したメモリ、「XDR DRAM」(エックス ディー アール ディーラム)を発表した。東芝とエルピーダメモリは、2004年にXDR DRAMを製品化し、2005年に量産開始する予定。
XDRメモリインタフェースは、ラムバスの開発した1ピンあたり3.2~6.4GHzの高速なデータ転送レートを実現するインタフェース技術。技術自体には汎用性があり、4層基板や汎用BGAパッケージ、汎用DRAMコアもサポートされるため、幅広い用途に利用可能であるとされている。2001年のRDF(Rambus Developer Forum)で技術についての発表が行われ、昨年のRDFでは、すでにデモ機材が登場していた。
XDR DRAMは高いメモリ帯域幅が必要とされるグラフィックやネットワーク機器向けとして使用が見込まれており、将来的にはPC用メインメモリやサーバー分野での使用も見込まれる。現在のところ、バスクロックは3.2GHzに達しているといい、1クロックで8bitのデータ伝送を行える「Octal Data Rate(ODR)」技術や動作クロックの向上、データバス幅の拡張によって、約100GBytes/secまでメモリ帯域幅を高速化することが可能だという。
これまでにも上記の東芝、エルピーダメモリのほか、ソニー、SCEI(ソニー・コンピュータエンタテインメント)がラムバスからXDRメモリインタフェースのライセンスを受けており、ソニーとSCEIについては、同技術を2001年3月に開発発表が行われた超並列プロセッサ「Cell」(コードネーム)に用いると予想されされている。
エルピーダメモリ、YellowstoneについてRambusとライセンスを締結
Rambus、YellowstoneとRedwoodをソニー、SCEI、東芝へライセンス供与
Rambus・米Toshiba、YellowstoneのDRAM分野への投入について提携
Rambus
http://www.rambus.com
エルピーダメモリ
http://www.elpida.com/
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