半導体技術ロードマップITRS 2002 Update公開 - 来年からナノテクの領域へ

 
 今までのITRSロードマップ

12月4日、東京国際フォーラムで国際半導体技術ロードマップ(ITRS)2002 Update概要説明会が開催された。説明会ではパオロ・ガルジーニ ITRS統括委員長はじめ増原利明氏(日本代表)、ホン・シャン・ツェイ氏(台湾代表)、ウォルフガング・アーデン氏(欧州代表)、アンディー・チャング氏(韓国代表)、ロバート・ドーリング氏(米国代表)らが登壇し、半導体技術ロードマップの最新状況の説明を行った。

ITRSは欧州のESIA、日本のJEITA、韓国のKSIA、台湾のTSIA、米国のSIAによって共同で支援されており、今後15年間にわたる半導体産業の技術ロードマップを取り扱い、研究機関および業界では信頼性ある指針として利用されている。

 テクノロジーノードの推移
 FinFETが注目技術として取り上げられていた

最新のITRS2002 UpdateではITRS2001に対してロードマップの進捗が加速するという予測を行わないこととなった。これは1994年以来初めてのことという。また、2004年頃まではロードマップに沿って開発・製品化が推移すると思われるが、2005年以降はブレークスルーが必要だとしている。

 45nmプロセスは2010年、32nmプロセスは2013年、22nmプロセスは2016年に実現するとしている
 銅配線の線幅が100nm程度以下で急激に電気抵抗が増大してしまうという問題

半導体のテクノロジーノードはDRAMの最密層の回路パターンのハーフピッチで定義され、ノードが新しくなるごとにハーフピッチは30%縮小する。従って130nm→90nm→65nm→45nm→32nmとテクノロジーノードが設定されている。ITRS2002 Updateでは90nmプロセスが2004年、65nmプロセスが2007年に導入されるとしている。90nmプロセスについては一部で2003年における立ち上げが予測されるが、その動向を見守りたいとしている。また、来る2003年より半導体技術はナノテクノロジーの領域に入るとしている。

【レポート】半導体製造技術のロードマップ - ナノエレクトロニクス時代に向けて
http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/01/01/06.html

ITRS
http://public.itrs.net/



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