台湾の半導体製造メーカー TSMCは、300mmウエハに0.13μmプロセスの銅配線を用いたSRAMのテスト生産を開始、今月中には複数の取引先に向けて、0.13μルールプロセスを用いた製品のテスト出荷を開始する予定であることを明らかにした。

同社社長のF C Tseng博士は「300mmウエハと0.13μmプロセスをもちいた半導体製造技術は、私たちが半導体製造において先進の技術を持っていることの証明であり、私たちはこれからもさまざまな顧客へ高い技術とサービスを提供し続けます」とコメントしている。

300mmウエハと0.13μmプロセスをもちいた半導体製造技術については、米インテルが4月2日(現地時間)製造に成功したと発表しており、この技術を用いたチップの量産出荷は2002年初頭の予定となっている。

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インテル、0.13μmプロセスと300mmウエハの組み合わせによる量産技術に目処
http://pcweb.mycom.co.jp/news/2001/04/03/08.html

TSMC
http://www.tsmc.com.tw/

米インテル
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20010402corp.htm