7月に開催された、韓国サムスン電子のSSD技術や新製品に関する発表会「2014 Samsung SSD Global Summit」において、コンシューマ向けの2.5インチSSD「Samsung SSD 850 PRO」をはじめとした新世代SSDが発表された。その際に同時発表されたデータセンター向けモデルが「Samsung SSD 845DC EVO」および「Samsung SSD 845DC PRO」だ。

Samsung SSD 845DC EVO/PRO

Samsung SSD 845DC EVO 480GB(上)、Samsung SSD 845DC PRO 400GB(下)。いずれも7mm厚の2.5インチSSDとなる

表のデザインはまったく同一。「Samsung SSD 850 PRO」に施されていたレッドのスクエアマークのような目を引く特徴はない

ともにデータセンター向けである"DC"を冠したモデルで、速度低下の少ない安定した性能と高耐久を主眼とした設計が行われている。両製品の大きな違いは、使用されているNANDフラッシュにある。「Samsung SSD 845DC EVO」は低コストの3bit MLC(TLC) NANDフラッシュを、「Samsung SSD 845DC PRO」には7月に発表されたばかりの3D V-NAND技術を用いたMLC NANDフラッシュを搭載している。

■ 製品スペック一覧
製品名 Samsung SSD 845DC PRO Samsung SSD 845DC EVO
容量 800GB 400GB 960GB 480GB 240GB
フォームファクタ 2.5インチ
インターフェース SATA3.0(6Gbps)
コントローラ MDX MEX
NAND フラッシュ 3D vertical NAND(V-NAND) 3bit MLC (TLC) NAND
シーケンシャルリード 530MB/s
シーケンシャルライト 460MB/s 410MB/s 270MB/s
ランダムリード(4KB, QD32) 92,000IOPS 87,000IOPS
ランダムライト(4KB, QD32) 51,000IOPS 50,000IOPS 14,000IOPS 12,000IOPS
QoS 99.90%(4KB,QD32) リード：0.6ms/ライト：5ms リード：0.6ms/ライト：7ms
QoS 最大(4KB, QD32) リード：3ms/ライト：12ms リード：3ms/ライト：8ms
レイテンシ(シーケンシャル/4KB, QD1) リード：45us/ライト：40us リード：55us/ライト：45us
レイテンシ(ランダム/4KB, QD1) リード：110us/ライト：50us リード：115us/ライト：55us
平均故障間隔(MTBF) 2,000,000時間 2,000,000時間
Drive Writes Per Day(DWPD) 10回 0.35回
Tera-byte Written(TBW) 14,600TBW 7300TBW 600TBW 300TBW 150TBW
最大消費電力(読み込み時) 1.7W 2.7W
最大消費電力(書き込み時) 3.3W 3.1W 3.8W
最大消費電力(アイドル時) 1.0W 1.2W
保証期間 5年間

データセンター向けSSDコストパフォーマンスモデル「Samsung SSD 845DC EVO」

「Samsung SSD 845DC EVO」で採用されているTLC(Triple Level Cell)NANDフラッシュは近年採用モデルが増え続けているものの、データセンター向けとして発売されるのはこのモデルが初めて。ターゲットとしているのはデータの読み込み比重の高いコンテンツ配信サーバーのような用途だ。3bit MLC (TLC)が2bit MLCに比べて耐久性が不利になるのは書き込みであるため、デメリットをあまり気にせずに低コストで大容量と読み出し速度を実現できるというのが特徴となる。書き込み保証容量は960GBモデルで600TBW(Tera Byte Written)、480GBモデルが300TBW、240GBモデルだと150TBWだ。DWPD(Drive Write Per Day)は0.35回となり、5年間の保証が付く。

Samsung SSD 845DC EVO 480GBの背面

ペンタローブドライバーで4カ所のネジを外すと内部を確認できる。メーカー保証外の行為なので分解する際は自己責任で行おう

Samsung SSD 845DC EVO 480GBの基板、裏面。Samsung SSD 840 EVOでも使用されていたTLC NANDフラッシュ「K4PG324EB-FGC2」4基が搭載されている

こちらは基板の表面。コントローラは「S4LN045X01-8030」。Samsung SSD 840 EVOで採用されていた第5世代の「MEX」だ。21基ものタンタルコンデンサを備えている点がデータセンター向けたる由縁か

3D V-NAND技術を用いたMLCを搭載した「Samsung SSD 845DC PRO」

もう一方の「Samsung SSD 845DC PRO」は、高耐久と長寿命を実現した最新の3D V-NANDフラッシュを採用し、アプリケーションサーバーやデータベースサーバー用途にも耐えられるモデルだ。注目の3D V-NAND技術については、「2014 Samsung SSD Global Summit」のレポートで紹介しているので、詳しくはそちらを確認していただきたい。こちらはデータの頻繁な書き換えが行われることを前提としたモデルとなっており、その書き込み保証容量は800GBモデルが14,600TBW、400GBモデルで7,300TBW。DWPDは10回にも及ぶ。保証期間は「Samsung SSD 845DC EVO」同様、5年間だ。

Samsung SSD 845DC PRO 400GBの背面

こちらもネジの位置はSamsung SSD 845DC EVOとまったく同じ。蓋を開けるとメーカーの保障が失われてしまうので、注意しよう

Samsung SSD 845DC PRO 400GBでは基板の裏面にコントローラやNANDフラッシュが集約されている。コントローラは「S4LN021X01-8030」。「Samsung SSD 840 PRO」で採用されていた第4世代の「MDX」だ

裏面に主要チップが集約されている分、表面はシンプル。15基のタンタルコンデンサにより、停電などの予期せぬ電力喪失時にデータを保護できる

この2製品の特性の違いはアクセス速度にも表れており、読み出し速度は同等だが、書き込みでは「Samsung SSD 845DC PRO」が大きく勝るという。特にランダム書き込みにおいてその差が顕著に表れるそうだ。今回は実際にベンチマークなどを利用してその特性を確認していくことにしよう。