【レビュー】

驚くコストパフォーマンス「Samsung SSD 960 EVO」 - リード最大3200MB/秒のメインストリーム向けM.2 NVMe SSDを検証

1 2015年のハイエンドモデルを上回る

 
  • <<
  • <

1/5

2016年9月21日、韓国サムスン・エレクトロニクス(以下、サムスン)が、NVMe 1.2に対応したM.2フォームファクタの高性能SSD「Samsung SSD 960 PRO」および「Samsung SSD 960 EVO」を発表した。プロフェッショナルユーザーをターゲットにしたハイエンドモデルの「Samsung SSD 960 PRO」については、すでにレビュー(http://news.mynavi.jp/articles/2016/10/19/samsung-ssd-960pro/)をお届けしているが、今回はコストパフォーマンス重視のメインストリーム向け製品「Samsung SSD 960 EVO」(以下、960 EVO)の1TBモデルを検証してみた。

Samsung SSD 960 EVOのパッケージ

M.2 2280準拠で3bit MLC V-NANDを採用、950 PROを上回る性能

960 EVOは、M.2フォームファクタに準拠したSSDであり、インタフェースはPCI Express 3.0 x4だ。M.2では、長さと幅が異なるいくつかのサイズが規定されているが、960 EVOは幅が約22mm、長さが約80mmの2280規格に準拠している。

NANDフラッシュメモリには、サムスンの第3世代3bit MLC V-NANDを採用。コントローラは上位モデルの960 PROと同じく、新開発の「Samsung Polaris Controller」だ。従来のコントローラは3コアCPUだったが、Polarisは5コアに強化されたことで、書き込み処理のさらなる分散が可能になり、ランダムライト性能の向上に貢献している。960 EVOの容量ラインナップは、250GB、500GB、1TBの3モデルだ。

Samsung SSD 960 EVOの表面

Samsung SSD 960 EVOの裏面

960 EVOは、SATA 3.0に対応した850 EVOの後継だが、PCI Express/NVMe対応になって性能が大きく向上している。シーケンシャルリードは全モデル共通で、最大3,200MB/秒。ちなみに、850 EVOのシーケンシャルリードは最大540MB/秒なので、スペック上は約6倍に高速化された。昨年(2015年)登場したNVMe対応のハイエンドモデル、950 PROのシーケンシャルリードは最大2,500MB/秒なので、950 PROよりも上回っていることになる。960 EVOのシーケンシャルライトは、250GBモデルが最大1,500MB/秒、500GBモデルが最大1,800MB/秒、1TBモデルが最大1,900MB/秒であり、こちらも850 EVOの最大520MB/秒に比べて、約3~4倍に高速化されている。

Samsung SSD 960 EVO(上)と、比較のために用いた2015年のハイエンドモデル「Samsung SSD 950 PRO」(下)。文字の向きが反対になっている

ランダムアクセス性能も非常に高い。250GBモデルと500GBモデルの4KBランダムリード(QD32)は最大33万IOPS、1TBモデルの4KBランダムリード(QD32)は最大38万IOPSだ。250GBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大30万IOPS、500GBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大33万IOPS、1TBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大36万IOPSとなっている。850 EVOの場合、最も高速な2TB/1TBモデルでも4KBランダムリード(QD32)は最大9万8000IOPS、4KBランダムライト(QD32)は最大9万IOPSであり、ランダムアクセス性能も約3~4倍に向上している。

書き込み可能容量(TBW)は、250GBモデルが100TBW、500GBモデルが200TBW、1TBモデルが400TBWだ。850 EVOは、250GBモデルが75TBW、500GB/1TBモデルが150TBWだったので、こちらも1.3~2.7倍に増加しており、耐久性・信頼性もさらに高くなったといえる。

■Samsung 960 PRO
512GBモデル 1TBモデル 2TBモデル
キャッシュメモリ(LPDDR3) 512MB 1GB 2GB
シーケンシャルリード 3,500MB/秒
シーケンシャルライト 2,100MB/秒
ランダムリード(4KB・QD32) 33万IOPS 44万IOPS 44万IOPS
ランダムライト(4KB・QD32) 33万IOPS 36万IOPS 36万IOPS
ランダムリード(4KB・QD1) 14,000 IOPS
ランダムライト(4KB・QD1) 50,000 IOPS
TBW(Total Byte Written) 400TB 800TB 1,200TB
保証 5年、またはTBWの範囲内
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値
■Samsung 960 EVO
250GBモデル 500GBモデル 1TBモデル
キャッシュメモリ(LPDDR3) 512MB 512MB 1GB
シーケンシャルリード 3,200MB/秒
シーケンシャルライト 1,500MB/秒 1,800MB/秒 1,900MB/秒
ランダムリード(4KB・QD32) 33万IOPS 33万IOPS 38万IOPS
ランダムライト(4KB・QD32) 30万IOPS 33万IOPS 36万IOPS
ランダムリード(4KB・QD1) 14,000 IOPS
ランダムライト(4KB・QD1) 50,000 IOPS
TBW(Total Byte Written) 100TB 200TB 400TB
保証 3年、またはTBWの範囲内
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値
  • <<
  • <

1/5

インデックス

目次
(1) 2015年のハイエンドモデルを上回る
(2) CrystalDiskMarkで公称値オーバー
(3) Iometerでも公称値を上回るランダム性能
(4) AS SSD Benchmarkは950 PROが上回る場合も
(5) ATTO Disk Benchmarkでも公称値を上回る
関連キーワード

人気記事

一覧

新着記事