既報の通り、Spansionは組み込み向けにe.MMCのNAND Flash製品をリリースした。この製品発表の記者説明会の後で、もう少し細かい話を同社のNANDマーケティング担当ディレクターであるTouhid Raza氏(Photo01)に伺う事ができたので、その内容を一問一答式にご紹介したいと思う。

Photo01:Touhid Raza氏(Director, NAND Product Line Marketing and Business Development)。前職はIntelでSSDのMarketingに携わっていた

Q:まず最初に今回の製品の寿命についてお伺いします。一般にSLC NANDだと10年単位のデータ保持期間と10万回オーダーの書き込み寿命が保障されますが、MLC NANDだと特に書き込み寿命は数千～数万回オーダーまで減ってしまいます。このあたり、今回のeMMC NANDはいかがでしょう?

A:まず今回の製品は、書き込み寿命はシステムレベルで確保している。チップレベルではない。実のところ、データ保持期間はMLC製品でも10年が確保される。違いは書き込み寿命だ。たとえばJEDECのスペックだと、SLC NANDだと10万回の書き込みで10年のデータ保持がが保障される。MLC NANDだと10年のデータ保持だが書き込み寿命は3000回だ。ところがシステムレベルではデータを内部でどう管理するかが差別化のポイントになるわけだ。われわれは顧客にあわせてのUse caseを定義し、このUse caseの上で10年以上のデータ保持期間を提供する。さらに我々の製品はFlash内部の欠陥を検知できる。たとえばあるブロックの読み込みを読み出したとき、コントローラがそのブロックに欠陥が発生する兆候を検知したら、そのブロックを新しい代替エリアに移動する。こうした方法により、システムレベルではずっと多い書き込み寿命を達成できる。

Q:その仕組みは分かります。SSDと同じですよね。ただFlash Memoryのプロセスを微細化してゆくと、どんどんエラー頻度があがるため、これに応じてコントローラの方もたとえばECCからAdvanced ECCやLDPCといった具合にエラー検出/訂正能力を強化しています。この製品はどうでしょう?

A:たとえばこの製品の場合、72bitのECCエンジンを利用している。

Q:もう少しコントローラについて。今回はPHISON Electoronicsのコントローラを搭載しているというお話でしたが、これはMLC NANDと同じダイの上に実装されているのでしょうか? それとも異なるダイになっている?

A:コントローラは別のダイになって積層される形になっている。なので8GB品は1枚、16GB品は2枚のMLC NANDのダイを積層する形だ。この世代のコントローラは2枚までのMLC NANDをサポートするので最大16GB品ということになる。次の世代は4枚までサポートできるので、これを使って32GBが実現できることになる。

Q:次にMLC NANDそのものですが、19nm品ということでした。これはSLC NANDと同様にSK Hynixのものですか?

A:いや、現在の製品は東芝の19nm品だ。

Q:どういう戦略でMLC NANDのベンダを選択しているかお聞きして宜しいですか?

A:我々はそもそも複数のサプライヤを持つ戦略を取っており、実際SK Hynixとも長期の契約を結んでいるが、これはSLC NANDに関するものだ。

Q:もう少しMLC NANDについて。たとえば東芝の19nmは同社が1X世代と呼んでいたもので、このあと1Y/1Zと続いてそのあとは3D NANDになります。Samsung Electronicsはすでに3D NANDの量産を開始しました。このあたりはどう思われますか?

A:1Y世代もマッチしていると考えている。我々はフォームファクタ、それと機能を顧客に対して保障している。今回の場合、コントローラとFlashが分離されているから、たとえばFlashが変更になっても、コントローラがその差異を吸収してくれるので、顧客は同じ(eMMCの)I/Fを利用できる。だから、もし1X世代のものを1Y世代に切り替えても、顧客は同じように利用できる。

Q:つまり将来は、東芝以外のFlashを使う可能性もあるが、その場合でも顧客から見ればまったく同じように扱えることをSpansionが保障する、ということですね?

A:その通りだ。つまるところBOMに一番影響するのは(機器との)I/Fの部分で、そこは現行のままを維持する。これは別にI/Fだけでなく、たとえば温度の影響とか電気的特性とかすべてに言える事だ。もし何らかの理由で互換性をなくす必要が出る場合は、事前に顧客と相談をして理解して頂いてからになる。

Q:もうひとつ。記者説明会の折に、TLC NANDを使う可能性は非常に低いとおっしゃってましたが、では3D NANDについてはどうでしょう?

A:我々自身も3Dの技術はすでに持っているし、3D NANDに必要なCharge Trapの技術はSamsungにライセンスしている。ただ現在は3D NANDに関しては状況を見守っている状況だ。

Q:NORに関してはSpansion自身が製造、あるいは製造委託をして、それを販売しています。ところがNANDについては基本的にMemoryそのものを他社から購入、パッケージして販売している訳ですよね?

A:大きく言えばその通りだ。ただ顧客の立場から見た場合、Spansionの差別化要因は品質管理とテストとなる。SLC NANDに関して言えば、我々はNAND FlashのウェハをSK Hynixから購入し、その後我々自身のみでテストを行っている。ここで、どうウェハをテストし、それが最終製品にどう影響するかを把握している。

これはeMMCについても同じことが言える。確かにNANDとコントローラを購入しているが、それをどう品質管理し、どうテストするかが最終製品に影響を及ぼすことになる。我々の価値となる重要な部分は、我々がどれだけ顧客を理解するかだ。顧客の求めている要求を理解した上で、我々はテスト方法をデザインする事になる。我々の品質管理と検証方法、それとツールサポートが最大の差別化要因だ。